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袴田舜也さん、小笠原健太さん、森恵人さん、今城大渡さんが「第40回電子材料シンポジウム(Electronic Materials Symposium, EMS)」で学会発表

袴田舜也さん、小笠原健太さん、森恵人さん、今城大渡さんが「第40回電子材料シンポジウム(Electronic Materials Symposium, EMS)」で学会発表を行いました。

発表者:袴田舜也さん(山口研究室、大学院電気電子工学専攻博士前期課程2年)

発表タイトル:Theoretical modeling of temperature-dependent PL spectra in InGaN quantum wells

発表年月日:2021/10/11

発表者:小笠原健太さん(山口研究室、大学院電気電子工学専攻博士前期課程2年)

発表タイトル:Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定

発表年月日:2021/10/11

発表者:森恵人さん(山口研究室、大学院電気電子工学専攻博士後期課程1年)

発表タイトル:Indium Composition Dependence of Internal Quantum Efficiency in InGaN Quantum Wells Measured by Simultaneous Microscopic Photoacoustic and Photoluminescence Spectroscopy

発表年月日:2021/10/11

発表者:今城大渡さん(山口研究室、大学院電気電子工学専攻博士前期課程1年)

発表タイトル:ハイドライド気相成長法によって ホモエピ成長された高純度GaN膜の フォトルミネッセンス評価

発表年月日:2021/10/11

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